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参数目录42104
> PSMN059-150Y,115 MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK
型号:
PSMN059-150Y,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN059-150Y,115 PDF
产品目录绘图
MOSFET LFPAK-4
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
43A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
59 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1529pF @ 30V
功率 - 最大
113W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装
LFPAK,Power-SO8
包装
标准包装
产品目录页面
1508 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
568-4734-6
查看PSMN059-150Y,115代理商
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